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MDD辰達(dá)半導(dǎo)體快恢復(fù)二極管在高頻整流、PFC、逆變續(xù)流路徑中承擔(dān)快速電荷抽空任務(wù)，其功耗除正向?qū)〒p耗外，還包含反向恢復(fù)能量；熱設(shè)計(jì)稍有不足，即可能觸發(fā)漸進(jìn)式熱退化甚至災(zāi)難性擊穿。本文從失效癥狀入手，解析熱源構(gòu)成...

在高頻電路中，二極管不僅需要具備快速導(dǎo)通和關(guān)斷特性，還必須在高頻開(kāi)關(guān)過(guò)程中盡量減少能量損耗和電磁干擾。普通整流二極管由于反向恢復(fù)時(shí)間較長(zhǎng)，難以滿(mǎn)足高頻應(yīng)用需求，而快恢復(fù)二極管憑借其短反向恢復(fù)時(shí)間和較低的...

一、整流二極管的核心參數(shù)解析：選型失敗的三大雷區(qū) 1. 電流與散熱失衡 最大整流電流（IF）：標(biāo)稱(chēng)值需滿(mǎn)足 IF ≥ 1.5 × I_load（負(fù)載電流），且需疊加散熱系數(shù)： 自然散熱（無(wú)風(fēng)冷）：實(shí)際承載電...

一、熱管理失效：散熱設(shè)計(jì)不足引發(fā)連鎖故障 問(wèn)題表現(xiàn)： 局部過(guò)熱：整流二極管（如1N5408）未配置散熱孔或銅箔面積不足，導(dǎo)致結(jié)溫＞85℃（安全閾值），實(shí)測(cè)溫升可達(dá)30℃以上 。 熱應(yīng)力開(kāi)裂：FR...

在功率電子系統(tǒng)中，辰達(dá)的MOSFET和IGBT是兩種常見(jiàn)的開(kāi)關(guān)器件，廣泛應(yīng)用于中低壓功率系統(tǒng)。它們各有優(yōu)缺點(diǎn)，適用于不同的應(yīng)用場(chǎng)景。作為FAE，幫助客戶(hù)理解這些器件的特性、差異和應(yīng)用場(chǎng)景，能夠有效提高系統(tǒng)設(shè)計(jì)的效率與穩(wěn)定性...

一、MOSFET在DC-DC變換器中的關(guān)鍵作用 開(kāi)關(guān)功能 DC-DC變換器的核心工作原理是通過(guò)高頻開(kāi)關(guān)操作將輸入直流電壓轉(zhuǎn)換為所需的輸出直流電壓。MOSFET作為開(kāi)關(guān)元件，在此過(guò)程中起著至關(guān)重要的作用。MOSFET的開(kāi)關(guān)頻率決定了變...

在USB PD快充電源設(shè)計(jì)中，辰達(dá)MOSFET作為功率控制與轉(zhuǎn)換的核心器件，發(fā)揮著關(guān)鍵作用。隨著充電功率向65W、100W甚至更高邁進(jìn)，對(duì)辰達(dá)MOSFET的性能提出了更嚴(yán)苛的挑戰(zhàn)。本文將從應(yīng)用挑戰(zhàn)出發(fā)，結(jié)合FAE工程實(shí)踐，分析MOSFET在US...

一、MOSFET開(kāi)關(guān)速度的定義與影響因素 開(kāi)關(guān)速度是MOSFET在導(dǎo)通（開(kāi)）和關(guān)斷（關(guān)）狀態(tài)之間的切換速度，通常以上升時(shí)間（tr）、下降時(shí)間（tf）和開(kāi)關(guān)時(shí)間（ts）來(lái)描述。開(kāi)關(guān)速度越快，MOSFET切換的響應(yīng)時(shí)間越短，意味著更小的開(kāi)關(guān)...

在現(xiàn)代電源設(shè)計(jì)中，開(kāi)關(guān)電源（SMPS）因其體積小、效率高、適應(yīng)性強(qiáng)，廣泛應(yīng)用于通信設(shè)備、計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、工業(yè)控制、電動(dòng)工具及新能源汽車(chē)等領(lǐng)域。而實(shí)現(xiàn)高頻、高效、高可靠性的開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)，除了依賴(lài)于拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)與主控芯片的優(yōu)化...