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MDD辰達半導體快恢復二極管在高頻整流、PFC、逆變續(xù)流路徑中承擔快速電荷抽空任務，其功耗除正向導通損耗外，還包含反向恢復能量；熱設計稍有不足，即可能觸發(fā)漸進式熱退化甚至災難性擊穿。本文從失效癥狀入手，解析熱源構成...

在高頻電路中，二極管不僅需要具備快速導通和關斷特性，還必須在高頻開關過程中盡量減少能量損耗和電磁干擾。普通整流二極管由于反向恢復時間較長，難以滿足高頻應用需求，而快恢復二極管憑借其短反向恢復時間和較低的...

一、整流二極管的核心參數解析：選型失敗的三大雷區(qū) 1. 電流與散熱失衡 最大整流電流（IF）：標稱值需滿足 IF ≥ 1.5 × I_load（負載電流），且需疊加散熱系數： 自然散熱（無風冷）：實際承載電...

一、熱管理失效：散熱設計不足引發(fā)連鎖故障 問題表現： 局部過熱：整流二極管（如1N5408）未配置散熱孔或銅箔面積不足，導致結溫＞85℃（安全閾值），實測溫升可達30℃以上 。 熱應力開裂：FR...

在功率電子系統(tǒng)中，辰達的MOSFET和IGBT是兩種常見的開關器件，廣泛應用于中低壓功率系統(tǒng)。它們各有優(yōu)缺點，適用于不同的應用場景。作為FAE，幫助客戶理解這些器件的特性、差異和應用場景，能夠有效提高系統(tǒng)設計的效率與穩(wěn)定性...

一、MOSFET在DC-DC變換器中的關鍵作用 開關功能 DC-DC變換器的核心工作原理是通過高頻開關操作將輸入直流電壓轉換為所需的輸出直流電壓。MOSFET作為開關元件，在此過程中起著至關重要的作用。MOSFET的開關頻率決定了變...

在USB PD快充電源設計中，辰達MOSFET作為功率控制與轉換的核心器件，發(fā)揮著關鍵作用。隨著充電功率向65W、100W甚至更高邁進，對辰達MOSFET的性能提出了更嚴苛的挑戰(zhàn)。本文將從應用挑戰(zhàn)出發(fā)，結合FAE工程實踐，分析MOSFET在US...

一、MOSFET開關速度的定義與影響因素 開關速度是MOSFET在導通（開）和關斷（關）狀態(tài)之間的切換速度，通常以上升時間（tr）、下降時間（tf）和開關時間（ts）來描述。開關速度越快，MOSFET切換的響應時間越短，意味著更小的開關...

在現代電源設計中，開關電源（SMPS）因其體積小、效率高、適應性強，廣泛應用于通信設備、計算機系統(tǒng)、工業(yè)控制、電動工具及新能源汽車等領域。而實現高頻、高效、高可靠性的開關電源設計，除了依賴于拓撲結構與主控芯片的優(yōu)化...