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MDD辰達半導體快恢復二極管在高頻整流、PFC、逆變續(xù)流路徑中承擔快速電荷抽空任務，其功耗除正向?qū)〒p耗外，還包含反向恢復能量；熱設計稍有不足，即可能觸發(fā)漸進式熱退化甚至災難性擊穿。本文從失效癥狀入手，解析熱源構(gòu)成...

在高頻電路中，二極管不僅需要具備快速導通和關(guān)斷特性，還必須在高頻開關(guān)過程中盡量減少能量損耗和電磁干擾。普通整流二極管由于反向恢復時間較長，難以滿足高頻應用需求，而快恢復二極管憑借其短反向恢復時間和較低的...

一、整流二極管的核心參數(shù)解析：選型失敗的三大雷區(qū) 1. 電流與散熱失衡 最大整流電流（IF）：標稱值需滿足 IF ≥ 1.5 × I_load（負載電流），且需疊加散熱系數(shù)： 自然散熱（無風冷）：實際承載電...

一、熱管理失效：散熱設計不足引發(fā)連鎖故障 問題表現(xiàn)： 局部過熱：整流二極管（如1N5408）未配置散熱孔或銅箔面積不足，導致結(jié)溫＞85℃（安全閾值），實測溫升可達30℃以上 。 熱應力開裂：FR...

在功率電子系統(tǒng)中，辰達的MOSFET和IGBT是兩種常見的開關(guān)器件，廣泛應用于中低壓功率系統(tǒng)。它們各有優(yōu)缺點，適用于不同的應用場景。作為FAE，幫助客戶理解這些器件的特性、差異和應用場景，能夠有效提高系統(tǒng)設計的效率與穩(wěn)定性...

一、MOSFET在DC-DC變換器中的關(guān)鍵作用 開關(guān)功能 DC-DC變換器的核心工作原理是通過高頻開關(guān)操作將輸入直流電壓轉(zhuǎn)換為所需的輸出直流電壓。MOSFET作為開關(guān)元件，在此過程中起著至關(guān)重要的作用。MOSFET的開關(guān)頻率決定了變...

在USB PD快充電源設計中，辰達MOSFET作為功率控制與轉(zhuǎn)換的核心器件，發(fā)揮著關(guān)鍵作用。隨著充電功率向65W、100W甚至更高邁進，對辰達MOSFET的性能提出了更嚴苛的挑戰(zhàn)。本文將從應用挑戰(zhàn)出發(fā)，結(jié)合FAE工程實踐，分析MOSFET在US...

一、MOSFET開關(guān)速度的定義與影響因素 開關(guān)速度是MOSFET在導通（開）和關(guān)斷（關(guān)）狀態(tài)之間的切換速度，通常以上升時間（tr）、下降時間（tf）和開關(guān)時間（ts）來描述。開關(guān)速度越快，MOSFET切換的響應時間越短，意味著更小的開關(guān)...

在現(xiàn)代電源設計中，開關(guān)電源（SMPS）因其體積小、效率高、適應性強，廣泛應用于通信設備、計算機系統(tǒng)、工業(yè)控制、電動工具及新能源汽車等領(lǐng)域。而實現(xiàn)高頻、高效、高可靠性的開關(guān)電源設計，除了依賴于拓撲結(jié)構(gòu)與主控芯片的優(yōu)化...